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					 電解質類型  | 
				
					 推薦目標粒徑  | 
				
					 推薦球磨機  | 
				
					 典型球料比 (BPR)  | 
				
					 推薦球徑組合 (mm)  | 
				
					 氣氛環境  | 
				
					 注意事項  | 
			
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					 硫化物(如LGPS、Li6PS5CI)  | 
				
					 20-80nm  | 
				
					 PULVERIZER 80  | 
				
					 10:1~20:1  | 
				
					 2/5/10(混合)  | 
				
					 惰性氣氛(Ar)  | 
				
					 要求非常細以提高離子導率,注意潮氣/氧敏感、避免熱升高導致相變或失硫  | 
			
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					 鹵化物(如Li3InCI6)  | 
				
					 30-150nm  | 
				
					 PULVERIZER 80 or HSVM Ball Mill  | 
				
					 8:1~15:1  | 
				
					 2/5(混合)  | 
				
					 干燥惰性氣氛(Ar)  | 
				
					 細粉可提高界面性,但要防止吸濕和團聚  | 
			
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					 氧化物(如LLZO、LAGP、LATP)  | 
				
					 100-500nm  | 
				
					 PULVERIZER 80 or PULVERIZER 500  | 
				
					 5:1~10:1  | 
				
					 5/10/15(偏大)  | 
				
					 常溫空氣或惰性 (視材料)  | 
				
					 過細會影響燒結行為和晶粒生長,建議不要追求過細  | 
			
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					 硫酸鹽/其他復雜氧化物  | 
				
					 50-300nm  | 
				
					 PULVERIZER 80  | 
				
					 5:1~12:1  | 
				
					 2/5/10  | 
				
					 視耐空氣性而定  | 
				
					 根據后續燒結/熱處理調整粒徑目標  | 
			
實用操作建議
1. 氣氛與水分控制:硫化物和某些鹵化物對水/氧非常敏感。球磨、裝料和取樣應在手套箱/惰性氣氛下進行,球罐預干燥。
2. 防止團聚/冷焊:對易冷焊的金屬或硫化物可加入少量助磨劑(例如少量異丙醇做濕法)或短時間多批次球磨,避免長時間連續高溫。濕法后必須徹底干燥并在惰性氣氛下處理。
3. 監測粒徑與相:定期取樣做粒度測試(激光粒度或DLS/SEM),并用XRD觀察結晶性/相變。粒徑達到目標后立即停止球磨,避免過磨破壞相。
4. 球材質選擇:避免雜質污染——常用材質:氧化鋯(ZrO?)/球(視成本與污染容忍度),不推薦鐵或普通鋼用于要求高純度的體系。
5. 典型轉速與時間(參考值,須按設備與樣品調整):
? 高能行星球磨:轉速300–1200rpm,分次球磨(例如每批10–30min,間隔冷卻),總有效時間從幾十分鐘到數小時不等以達到nm級。
? 低速/振動球磨:用于較粗粒或避免過熱。
6. 球徑搭配:混合小球+中球(如2mm+5mm)可以兼顧細碎效率與研磨均勻性。
7. BPR(球/料比):提高 BPR 可加速細化,但會加劇磨損與升溫;一般先用10:1試驗,再根據結果調整到15-20:1(若需更細)。
8. 后處理:球磨后若用于燒結/燒結合成,粒徑分布均勻、低團聚能提高致密化;氧化物體系通常需要更高溫燒結以獲得致密氧化物骨架。